方块电阻测试仪技术指标
发布日期：2021-07-20 浏览次数：1410
本设备采用四探针法专用于金属薄膜方块电阻，HAD-KDB-2B 测试仪严格参照国际标准
SEMI MF 374-0307 对设备的要求研制，运用了*半导体薄层测量技术，无需特别制
样，可测不规则的金属薄膜。
技术指标：方块电阻测量范围（3 位有效数字）：0.00001-0.3Ω/□。
测量电流分两档：100mA 和 1000mA。
最小分辨率：0.00001Ω/□。
试样尺寸：直径大于 32mm。
试样厚度：t≤5μm（约）。
探针间距：1.59mm。
成套设备包含：
HD-KDB-2B 主机 一台
HD-KDJ-1A 手动测试架 一台
HD-KDT-5 红宝石四探针头 一个
电源线 一根
四探针头连接线 一根
选购件：
微控制器及配套测试系统 一套
本设备采用四探针法专用于金属薄膜方块电阻，HD-KDB-2B 测试仪严格参照国际标准
SEMI MF 374-0307 对设备的要求研制，运用了*半导体薄层测量技术，无需特别制
样，可测不规则的金属薄膜。
技术指标：方块电阻测量范围（3 位有效数字）：0.00001-0.3Ω/□。
测量电流分两档：100mA 和 1000mA。
最小分辨率：0.00001Ω/□。
试样尺寸：直径大于 32mm。
试样厚度：t≤5μm（约）。
探针间距：1.59mm。
成套设备包含：
HD-KDB-2B 主机 一台
HD-KDJ-1A 手动测试架 一台
HD-KDT-5 红宝石四探针头 一个
电源线 一根
四探针头连接线 一根
选购件：
微控制器及配套测试系统 一套
